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MJ14002G PDF下载
- 大小：123K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:1mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Current Gain Hfe Max:100; Current Ib:1.0A; Current Ic Continuous a Max:60A; Current Ic NPN Device:1.0A; DC Current Gain Hfe Min:15; DC Current Gain Max (hfe):100; Junction Temperature Tj Max:+200°C; Junction Temperature Tj Min:-65°C; Package / Case:TO-3; Termination Type:Through Hole; Transi...
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